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1，尼康L22与尼康S5200的性能对比那个效果更好

尼康L22

尼康L22与尼康S5200的性能对比那个效果更好

2，三星手机s22参数

三星手机s22参数：三星Galaxy S22系列整体设计与三星GalaxyS21系列基本相近，依旧采用居中开孔全面屏设计，顶配版还将采用搭载LTPO技术的OLED屏幕，能实现1-120Hz的自适应刷新率调节功能。三星手机s22搭载全新的骁龙8以及自家的三星Exynos 2200旗舰芯片，Galaxy S22和Galaxy S22+预计将采用后置50MP主摄＋超广角＋3倍长焦的三摄相机模组，而Galaxy S22 Note则会沿用108MP的主摄镜头。此外，该机还将有望搭载45W快充，这也是S系列的首次运用。全新的三星Galaxy S22系列旗舰将依旧包含三个版本，均将搭载骁龙8处理器，其中三星Galaxy S22将延续之前安卓小屏旗舰的定位，采用一块6.06寸FHD AMOLED屏幕，支持最高1000nit的全局亮度和1300nit的峰值亮度。后置主摄为GN5，超广角为IMX 563，同时搭载1000万像素的3倍长焦。配备3700mAh的电池，支持25W有线充电及15W无线充电。

三星手机s22参数

3，酷睿2 酷睿2 双核处理器T8和t9系

P8400是新CPU··前端1066MGZ··肯定更好了···原来的都是800的前端··内存不能充放发挥
肯定更好

酷睿2 酷睿2 双核处理器T8和t9系

4，S22U 12512G 对比mete40保时捷买哪个

华为 Mate 40 RS 保时捷设计是一款高档手机，以下是手机参数：1、屏幕：屏幕尺寸为6.76英寸，屏幕色彩1670万色，DCI-P3广色域，分辨率：FHD+ 2772 × 1344 像素，延续了88o 超曲面环幕屏设计，弧度饱满，左右边框臻于无形，画面向更广处延伸，带来更为沉浸的视觉体验，观感十足震撼。2、拍照：后置摄像头像素：超感知摄像头：5000万像素+电影摄像头：2000万像素+长焦摄像头：1200万像素+超级变焦摄像头：800万像素，前置摄像头像素：超感知摄像头：1300万像素，搭载业界顶级XD Fusion 硬件实时HDR视频能力，后置广角摄像头、后置主摄像头及前置摄像头均支持。结合超强4核ISP 实时处理海量信息，获得更均衡的曝光效果，高品质画面连续不断呈现。3、性能：采用EMUI 11.0（基于Android 10）系统，搭载麒麟9000八核处理器，采用先进的半导体制程，是当前技术工艺最领先的5纳米5G Soc 手机芯片，将处理器和5G基带融于一体，带来速度更快发热更低和能效比更强的运行表现。4、电池：电池容量：4400mAh（典型值），标配充电器支持11V/6A或10V/4A或10V/2.25A或4.5V/5A或5V/4.5A或9V/2A或5V/2A输出，理论充电时间：约0.78小时，手机支持最大超级快充11V/6A，兼容10V/4A或10V/2.25A或4.5V/5A或5V/4.5A超级快充，兼容9V/2A快充。无线充电：支持50W华为无线超级快充，支持无线反向充电。麒麟9000将5G基带集成于Soc单芯片之中，和外挂基带相比功耗降低，连接和电源管理更高效。同时，更精密的工艺制程带来功耗收益和更长续航。

5，AMD速龙双核系列215 220 240 245 250都有哪些不同是不是性能差

都是目前最新架构的处理器，还有何大潜力开四核，性能当然是有差别的
固态硬盘好在那 最大多大 ？？？
主要的不同是 2级缓存的不同 老版本的215是 1M二级缓存 新版本的是 2M二级缓存 而且接口 是AM3的 然后就是主频有微小的差异 至于性能差距不大的！
价格不同 ，参数不同。

6，500S22型单级双吸泵的性能参数

Q=2020m3/h, H=22m, n=970rpm, NPSHr=5.2m额定点效率点84%，功率144kW，配套电机185kW/6P，单泵重量1555kg
湖南中大节能泵业系九十年代初发展起来的专业生产各种叶片泵的水泵生产骨干企业之一。单级单吸离心泵是离心泵中最为简单的一种。所谓单级是指泵内只有一级叶轮，单吸是指水从叶轮一侧吸入。这种泵一般流量较小，多属于小型泵。构造特点是叶轮固定在转轴的一端，支承其重量的轴承位于轴的另一端，受力有如悬臂梁，故又称悬臂式离心泵。泵的转动部分包括叶轮、泵轴、轴承、联轴器等，固定部分包括泵体、轴承支架、泵的进口和出口等。

7，OPPO R11 s与VIVOX20参数对比

1、硬件配置方面：硬件方面，vivo X20全面屏手机采用了骁龙660处理器，搭配4GB+64GB存储规格并支持存储卡拓展。vivo X20全面屏手机搭载了全新的Funtouch OS 3.2版本系统，重点优化了APP启动速度，并加入了全新的分屏模式，对用户的基础体验来说无疑是很好的改进。2、拍照方面：vivo X20前后1200万像素传感器，均采用双核像素对焦（感光单元为2400万个），像素单位达1.28μm，最基础保证了拍照画质，0.03秒快速对焦，外加F2.0的光圈（前置为F1.8），在低光照夜景的环境下也会有出色表现。后置方面，在此基础上还增加了500万像素景深摄像头，在后置人像的拍照功能上实现更多玩法。在拍照上，vivo的X系列和Xplay系列分别主打前置和后置拍照，这一次全面屏vivo X20前后拍照更加出色。前后1200万像素传感器，均采用双核像素对焦（感光单元为2400万个），像素单位达1.28μm，最基础保证了拍照画质，0.03秒快速对焦，外加F2.0的光圈（前置为F1.8），在低光照夜景的环境下也会有出色表现。后置方面，在此基础上还增加了500万像素景深摄像头，在后置人像的拍照功能上实现更多玩法。3、外观方面：全面屏设计vivo X20采用了全新的18：9全面屏设计，屏占比达到了惊人的85.3%。基于这样的设计方案，X20相当于在传统5.5英寸手机中放入了6.01英寸的超大屏幕，使得视觉效果更加饱满。3D弧面金属设计vivo X20继承了穹顶式U型天线的设计方案，宽度仅仅只有1.8mm，不会对背面造成割裂感。整体来看，vivo X20背面采用的是3D弧面金属设计，背面由中间向两边逐渐收拢，配合上细腻的喷砂工艺处理，使得手机更加贴合手掌，握持手感更优秀。OPPO R11s是OPPO R11的升级版，它在拍照、外观、设计、系统等方面有全面升级。从“前后2000万，全面屏拍照手机”的slogan来看，R11s将采用当下最流行的全面屏设计，但是依然主打是拍照。1、硬件配置方面：OPPO R11s采用的是6.01英寸18:9全面屏，拥有5.5英寸手感。此外，OPPO还为屏幕匹配了更沉浸的交互设计以及更舒适的手感。OPPO R11s的屏幕分辨率为2160×1080，搭载高通骁龙660处理器，配备4GB内存、64GB存储，支持VOOC闪充。提供全新的前后2000万摄像头组合，运行安卓7.1系统。2、外观方面：OPPO R11s采用18：9全面屏比例，6.01英寸大屏，5.5英寸手感。另外，R11s在红色版上采用了独创的“星幕屏”设计，渐变的屏幕和红色金属机身相互呼应，手机看上去更加纯粹。R11s的三款基础颜色，分别为香槟色、黑色、红色。3、拍照方面：OPPOR11s后置采用全新2000万+1600万智选双摄，拥有双f/1.7大光圈，能自动识别光线条件并智能切换主摄像头，白天黑夜拍照都清晰。[7] 白天拍照以1600万高解析摄像头为主，虚化更自然，更有层次；而到了晚上，夜晚拍照以2000万高感光摄像头为主，暗光环境下四个像素将智能聚合为一个2.0μm大像素，感光面积提升3倍，拍人更清晰。前置2000万AI智慧美颜。OPPO R11s通过采集254个面部特征点，智能分析性别、年龄、肤色、肤质信息，让美颜更智慧。综上所叙，这两款机子都不错。
比较参数下来，还是x20会值得选择，整体性能实用一些。r11s在升级上并不明显。在拍照上，x20采用的双核像素技术，前置2x1200万像素和后置双摄2x1200万+500万像素，对焦速度为0.03s，能输出2400w像素。而且还加入了vivo图像魔方技术，提升逆光和暗光下拍照光线条件，照片细腻自然。知性美颜4.0+柔光灯，自拍效果真实自然，无须二次p图。r11s像素输出还是前后2000w，所说的拍照升级变化，只是软件上的，r11s的拍摄效果比不上x20的逆光拍照技术。在性能上，搭载骁龙660八核处理器，x20专有新智慧引擎，运行流畅稳定。以及vivo的游戏引擎，游戏性能得到优化，保证游戏流畅度。还有游戏免打扰模式，也可以边打电话边游戏，游戏键盘的加入让游戏界面人性化。在外观上，x20背面采用3d弧面金属设计，背部中间微弧，侧面大弧。整机侧面看轻薄精美，背面简洁苗条，持握感比r11s舒适。配色丰富，新增的vivo蓝让人有耳目一新的感觉在续航上，3245mah大容量电池，搭配双引擎闪充，充电快，而且比较耐用，长时间操作也不容易发烫。

8，对比下T8T7和T5系列笔记本CPU的性能

先来谈谈赛扬双核T1600这款新处理器，从型号名称上来看似乎是前段时间在市场上广泛采用的赛扬双核T1400的升级版，可是它的主频却只有1.66GHz，比T1400的1.73GHz主频还要低，这是怎么回事呢？再看看其他参数你就会赫然发现，这颗赛扬双核T1600竟然是667MHz的前端总线和1MB的二级缓存，均比T1400的533MHz前端总线和512KB的二级缓存要强悍多了，前端总线频率甚至比之前主流的奔腾双核T2390还要高。从各项参数来看，T1600是完全应该放入奔腾系列的，而英特尔却将其放入了赛扬系列，其价格也相应地进入赛扬的区间，因此赛扬双核T1600无疑是当前最具性价比的笔记本处理器之一，它的出现将T1400彻底扫入了被淘汰的"垃圾"产品之列。 　　再来看看奔腾双核T3200这颗奔腾系列的新处理器，2.0GHz主频，667MHz前端总线，这两项参数都与更高一级的酷睿2双核T5750相同，而将之前主流的奔腾双核T2390远远甩在了后面，两厢比较下来，毫无疑问，奔腾双核T2390也已经彻底OUT了。 　　那么酷睿2双核T5800又是一颗什么样的处理器呢？与之前如日中天的酷睿2双核T5750进行比较你就会发现，T5800将前端总线频率提升到了800MHz，而其他参数完全相同，这样的参数是不是似曾相识？看看表中下面一行列出的曾经红极一时，现在还有许多在售的老本上采用的酷睿2双核T7250吧，参数完全相同？没错，T5800实际上就是以前更高阶的T7系列的T7250处理器，只不过换了名字放入了T5系列，并将价格降到了与T5750相同的价位，从而将本来正当红的T5750彻底踢出了局。 今年7月，英特尔正式发布了代号为Montevina的迅驰2平台，其中处理器部分采用了改良后的45nm酷睿微架构，采用更快地前端总线频率，还加入了更为先进的SSE4.1多媒体指令集，在视频编解码相关应用中会有明显的效能提升。更为重要的是，首次推出了功耗仅为25W的P系列处理器，它们和T系列的区别在于功耗降低了10W，因此发热量更小、笔记本续航时间更长，而性能方面则没有受到任何影响，P7350和主频更高的P8400均是这种综合表象极为出色的新处理器。与之前推出的45nm酷睿2双核T8100比起来，在二级缓存容量相同的情况下，P7350将前端总线提升到了1066MHz，而功耗却降低了10W，可以说是一次巨大的进步，相比之下，T8100这颗过渡期的产物也就无可避免地寿终正寝了。 　　从对以上几款处理器的分析可以看到，英特尔笔记本处理器序列正在进行一次大规模的更新换代，尤其明显的是最低端的赛扬双核和最高端的新酷睿2双核。这里面有个有趣的现象，英特尔似乎在有意识地提升每一档处理器的台阶，或者说在将原本高阶的处理器放入低一阶的产品序列中，这在T1600身上表现得尤其明显。相对来说，位于中端主流的奔腾双核和酷睿2双核T5系列这次的提升似乎少了点，这点多少有点令人遗憾，不过英特尔将于今年四季度推出基于45纳米Penryn架构的奔腾双核T4200处理器，届时它无疑将拉开新老奔腾双核之间的差距，同时蚕食更多中端市场，加快老款酷睿2处理器的退市速度。很明显，45纳米新制程的奔腾双核T4000系列和酷睿2双核T6000系列将会在两三个月后一统中端主流市场，这一进程已经出现在英特尔最新的Roadmap上。
又要上基础课了咯！ 首先，看cpu主要的还是要看主频、前端总线、制作工艺、单核还是双核？是否是32位还是64位？ 处理器主频以每秒处理器周期可运行的百万次计算，相同内核的处理器中主频越高则性能越强。 由于处理器的工作频率远远大于电脑中其它硬件的工作频率，因此需要有一个连接处理器和其它硬件的部分，这部分工作由芯片组承担，芯片组的工作频率就是总线频率。intel之前迅驰1代的FSB是800MHz，现在的迅驰2的FSB是1066MHz，相对AMD早期的速龙和炫龙有600和1600MHz的，现在的“美洲豹”部分FSB也是1600的。 制作工艺的大小决定它的集成度高不高，数字越小，集成的晶圆也就越多，处理数度就越快，大小和它的功耗、稳定性有关。一般intel最新平台的现在都是45nm的，之前65nm的比较多，AMD的不怎么了解，呵呵。 单核与双核的差别在于你打开30个网页以上再处理别的任务时，双核明显比单核运行要顺畅的多，要是不处理多任务，基本没区别，可是现在哪个不是开三四个窗口以上还要玩游戏的！ 64位的处理器要比32位处理性能更优越！64位支持更多的指令集，向下兼容32位。 以上都是针对同一品牌，intel着重看L2，AMD看L1，因为intel是总线架构，AMD是直连架构！架构不一样，考虑的问题就不同，直连架构的cpu访问内存必须经过北桥芯片，就必须用到cpu的L2；而AMD的cpu直接通过L1访问内存，不必经过北桥，所以大家都说amd的速度会比intel的快，intel要想速度快就必须加大L2，也就这个意思了！但是L2是整个cpu里十分耗电的地方，所以就会出现酷睿的省电技术！说白了这些东西消费者是永远被蒙在鼓里的~呵呵 cpu性能好，也要搭配好的平台才行的呀！好比一个优秀的赛车手，驾驶一辆快要报废的车，他怎么跑的快咯！呵呵，所以系统平台也很重要！ 说得不好，希望对楼主有帮助！呵呵
5750： 二级缓存（KB） 双核心共享2048 前端总线频率(MHz) 667 电压 1.3V左右 多媒体指令集 MMX、SSE、SSE2、SSE3、SSSE3 8100： 二级缓存（KB） 双核心共享3072 前端总线频率(MHz) 800 电压 最高1.25V 多媒体指令集 MMX、SSE、SSE2、SSE3、SSSE3、SSE4.1 其实看似差别挺大，用的时候差不多 只不过8100比5750更快一点，在制作动画的时候能有感觉，其他的差别不大
前端总线和二级缓存不同，T5有频率大于T7的，T7有频率大于T8的，而且T8是45nm制程，功耗更低，而前两者是65nm制程,在整体性能上T8和T7优于T5，T5优于T2。发热量方面更是如此，T8和T7的工作温度要远小于T5和T2。这会对电池的续航时间有很大帮助。 相同条件下T8100和T5750,差异应该不会太大
这两个主频也差不多。。。T8100是3M二级缓存，800FSB，而5750是2M,667FSB,理论上8100速度要快些 而且T8100是45NM工艺，省电.这两个主频也差不多。。。

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