晶圆工艺制程达到1纳米会怎样

现在的材料下,晶圆的工艺制程的极限是5nm。我们知道,这个工艺越先进,晶体管就越小,相同面积的芯片可能塞进更多的晶体管了,理论上能芯片的性能和功耗都会得到改善。但是,它也会有很多负面的作用,最主要的就是漏电流,随着沟道长度(就是制程)的缩小,这个漏电流就越严重,制程带来的好处基本上被这些负面作用抵消了,虽然像英特尔、IBM等采用了一些新的手段(如FinFet)去改善漏电流等问题,但它总是有个限度 的。

国产光刻机能实现多少nm工艺制程?


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