blueprints哪里的技术,关键点的区别到底在哪

中国光刻技术与荷兰ASML EUV光刻技术的关键区别在于紫外光源和光源能量控制的不同。传统的技术分析方法，大部分是基于道氏理论、艾略特波浪理论、日本蜡烛图技术分析方法等。再次，用这种方法创造的一些经典技术指标，如MACD、均线、KDJ等。这些传统的技术方法的优点是能够搞清楚个股每个阶段的波动，把握个股每个阶段的买卖点，或者每个阶段上市的机会和风险，准确买卖个股。

贾跃亭的FF汽车到底技术先进在哪里？请技术控解释下？

贾跃亭的FF汽车目前还没有量产，技术是否先进就很难评判了。不过，我们可以探讨一下，为什么贾跃亭砸了这么多钱，车却出不来，原因无非有两点，一是，新能源产业链没建起来的情况下，汽车自然造不出来。举个例子，苹果来中国找富士康代工，意味着把整个产业链都带来了中国，所以苹果来了之后，小米、华为、包括OPPO、VOVO才能迅速崛起，

在此之前，国内智能手机市场还是三星、HTC、摩托罗拉，而这三个品牌并没有在中国完全代工生产。汽车也是一样，贾跃亭看见特斯拉在美国火了，想在做中国的特斯拉，但问题是，特斯拉自己的产品都一堆毛病，产量也低，产业链还没形成。中国新能源产业链基本没有，在这种情况下，砸再多的钱，贾跃亭也造不出来，二是，自己没有核心的技术，造车很难的。

中国的光刻机技术和荷兰的光刻机技术，关键点的区别到底在哪？

中国的光刻技术和荷兰ASML的EUV光刻技术，关键点的区别在于采用紫外光源的不同和光源能量控制，一、中国光刻技术采用193nm深紫外光源，荷兰ASML的EUV采用13.5nm极紫外光源。光刻是制程芯片最关键技术，制程芯片过程几乎离不开光刻技术，但光刻技术的核心是光源，光源的波长决定了光刻技术的工艺能力。

我国光刻技术采用193nm波长的深紫外光源，即将准分子深紫外光源的波长缩小到ArF的193nm，它可实现最高工艺节点是65nm，如采用浸入式技术可将光源缩小至134nm。为提高分辨率采取NA相移掩模技术还可推进到28nm，到了28nm以后、由于单次曝光的图形间距无法进一步提升，所以广泛使用多次曝光和刻蚀的方法来求得更致密的电子线路图形。

荷兰ASML的EUV光刻技术，采用是美国研发提供的13.5nm极紫外光源为工作波长的投影光刻技术，是用准分子激光照射在锡等靶材上激发出13.5nm光子作为光刻技术的光源。极紫外光源是传统光刻技术向更短波长的合理延伸，被行业赋予了拯救摩尔定律的使命，当今的ASML的EUV光刻技术，巳能用13.5nm极紫外光制程7nm甚至5nm以下芯片。

而我国还是采用193nm深紫外源光刻技术，如上海微电子28nm工艺即是如此，虽然我们采用DUV光刻技术通过多重曝光和刻蚀方法提升制程工艺，但成本巨大、良率较低、难以商业化量产。所以光源的不同导致光刻技术的重大区别，二、在光刻技术的光源能量精准控制上，我国光刻技术与荷兰的EUV也有重大区别。光刻技术的光学系统极其复杂，要减小误差达到高精度要求，光源的计量和控制非常重要，

它可通过透镜曝光的补偿参数决定光刻的分辨率和套刻精度。光刻技术的分辨率代表能清晰投影最小图像的能力，和光源波长有着密切关係，在光源波长不变情况下，NA数值孔径大小直接决定光刻技术的分辨率和工艺节点。我国在精密加工透镜技术上无法与ASML采用的德国蔡司镜头相比，所以光刻技术分辨率难以大幅提高，套刻精度是光刻技术非常重要的技术指标，是指前后两道工序、不同镜头之间彼此图形对准精度。

如果对准偏差和图案产生误差，产品良率就会小，需要不断调整镜头曝光补偿参数和光源测量来控制，达到满意的光刻效果。国内除了缺乏精密的镜片加工技术，在光源控制、镜片曝光参数调整等方面也缺乏相关技术。5G时代，国内需要高端芯片，顶尖的光刻技术不可或缺。这是必须攀登的“高峰”。我相信中国经过艰苦的研发可以掌握先进的光刻技术和设备，生产出自己需要的各种高端芯片。