一个叫菊厂影业Fans的自媒体发文：华为掌握了14 14nm芯片叠加性能比肩7nm的技术。美国政府为了限制荷兰ASML公司向中国公司出口EUV光刻机中芯国际买不到它，造不出7纳米的芯片。富士康自身也没有这个能力研发光刻机，富士康只是一个代工厂，自己并不算科技公司，富士康完全不具备研发光刻机的能力，更不用说7纳米级别的了，全世界只有荷兰一家，而且这家公司并不是自身能力，而是跟几十个国家的顶级科技公司合作，从这些公司中提供最顶级的配件组装而成的，世界上并没有哪一家公司能够单独研制成功。
28nm光刻机与7nm差距在哪？
这个概念就被混淆了!无论是28纳米也好，7纳米也罢，指的都是光刻机的制程工艺。而光刻机背身只分为紫外光刻机(UV)，深紫外光刻机(DUV)，极紫外光刻机(EUV)。其中28纳米的制程工艺用DUV也行，用EUV也可以。7纳米制程工艺使用DUV也是可以的，只不过太麻烦了，用EUV比较简单省事。而DUV光刻机和EUV光刻机的差距主要在:“光源，物镜”，这三者基本上决定了一台光刻机制程工艺的高低。
如果说到具体的工艺上，那就是28纳米制程工艺制造的芯片与7纳米制程工艺制造的芯片性能差太多了，基本上28纳米制程工艺是9年前的了，如果让用回9年前的手机，你还愿意么？机台部件差距先来看光源。DUV光刻机采用的Arf光源，其波长普遍在193纳米。而光刻机的分辨率除了正比于波长之外，还主要受限于瑞利衍射极限。
Arf光源的极限基本就是7纳米了，在提升分辨率的话，那代价就太大了，根本划不来。而EUV光刻机采用的是EUV光源，其波长为13.5纳米，这么短的波长，就很容易实现分辨率的提升，所以使用EUV光刻机的话制程工艺达到7纳米，5纳米，3纳米是很容易做到的。另外，同时开始制作7纳米的芯片，EUV光刻机的效率要比DUV高的多。
再来看物镜组。ASML制造的EUV光刻机使用的是蔡司公司提供的物镜，其数值孔径(NA)值为0.33越大。看公式“光刻机分辨率=k1*λ/NA”。也就是说NA值越大表示分辨率越高，光源波长越短，分辨率也就越高。由于受限于技术，导致镜头的NA值不能无限增大，所以只能选择缩小光源的波长了。国内NA值为其0.75的光学系统已经通过验收了，正在向NA值为1.35的进发。
可以说，国产DUV光刻机的光学系统的NA值已经比ASML的高了。由此可知，EUV光刻机和DUV光刻机之间的差距有多大。当然了，EUV光刻机需要的光源和物镜都是需要极高技术支持的，不掌握先进的技术，那是制造不出EUV光刻机的。此外，芯片的制程工艺，不仅仅是由光刻机决定的。更多的在于一个厂商的研发工艺，比如说，台积电使用DUV光刻机就可以将芯片的制程推向7纳米，而三星就不行了，三星想要制造出7纳米制程工艺的芯片，就必须要有EUV光刻机。
国内有哪些公司可成长为芯片巨头？
国内最有望成为芯片巨头的两家公司：华为的海思（芯片设计）、中芯国际（芯片制造）、另外，清华紫光，士兰微、紫光国芯，中环半导体和中兴微电子等这几家也值得期待芯片产业是当今世界顶尖科技产业，也是全球化分工合作的产物，其复杂程度已经超越国一个国家的生产能力，必须分工合作。让我们先来看一下其产业链：集成电路/芯片产业链概述上游：主要是集成电路/芯片制造所需的原材料和生产设备。
中游：生产工序主要涉及芯片设计、晶圆加工、封装和测试。下游：应用于通信设备（包括手机）、PC/平板、消费电子、汽车电子等行业。集成电路各工序环节Top企业是什么制约了中国芯片的发展？1.半导体材料——晶圆生产芯片需要电子级的纯度是99.999999999%(别数了，11个9)，几乎全赖进口，直到2018年江苏的鑫华公司才实现量产，目前年产0.5万吨，而中国一年进口15万吨。
2.设计芯片美国的高通、博通、AMD都是专门做设计的已经非常成熟，中国台湾的还有联发科，大陆的有华为海思、紫光展锐、紫光国微、士兰微等。但中国做利润较高的，高端电脑、手机芯片设计的只有华为海思和紫光展锐，并且才刚刚起步。3 制造芯片设计完芯片后，在上面说的晶圆片上涂一层感光材料，然后就要用【光刻机】来制造啦。
具体步骤很复杂，有“清洗烘干、涂底、旋涂光刻胶、软烘、对准曝光、后烘、显影、硬烘、刻蚀“等。说简单点，就是把“芯片设计师”设计出电路刻在晶圆上，同时在上面形成密密麻麻的小芯片。然后，晶圆片就变成了这样：4.光刻机被称为芯片产业皇冠上的明珠。荷兰阿斯麦公司(ASML)，它是全球高端光刻机唯一的霸主，产量还不高，无论是台积电、三星，还是英特尔，谁先买到ASML最新的EUV（极紫外光源）光刻机，谁就能率先具备7nm工艺。
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