3年内中国能不能搞出EUV光刻机？
华卓精科双工件台，国旺光学镜片，长春光机所euv光源都搞定了，应该就差整合了，况且euv和duv不是继承关系，就像航母的蒸汽弹射和电磁弹射，中国都是同时研发的，西方每周双休，每天6小时，花了10年搞定euv，我们是996，三班倒，肯定比西方快的多，而且第一个做出来是最难的，要走很多弯路，后来者再模仿就容易的多。
华为是否已经进入了研发光刻机阶段？
华为芯片都已经在生产了，光刻机肯定是有了。这不过这个光刻机跟你想象的可能并不同。我们知道，两年前，美国开始制裁华为。那会华为的海思麒麟芯片是在ARM架构公版的基础上自己设计的。华为只做芯片设计，芯片生产由别人代工。在被制裁之前，华为海思芯片设计出来的产品已经可以比肩第一线的其他手机芯片，像高通、苹果等，虽然可能有些差距，但也不算太远。
美国认为只要禁止华为使用设计芯片的EDA软件，把华为的芯片设计能力限制住了，就是蛇打七寸了。要知道设计芯片所用到的EDA软件是被美国垄断的，我们国内没有一款芯片设计软件能用来设计高端的手机芯片。因此，美国第一轮制裁华为的主要方式就是禁止华为使用美国的芯片设计EDA软件，以及使用GMS。然而效果并不大，因为华为海思已经设计出当时技术前沿的芯片，如麒麟9000等。
华为拿已经设计完成的芯片给代工厂去生产，还可以维系很长一段时间。让美国一招致华为于死地的想法落空。因此美国进行了后续几轮制裁，给华为加上了一道道紧箍咒。比如禁止台积电、中芯国际等芯片代工厂给华为生产芯片。然后美国又发现华为通过大量采购芯片增加库存，以延长制裁下的生存时间。美国当然是难以接受的，他们经过研究，最后还是发现华为准备不足的地方。
所谓不足的地方，就是一些关键的半导体小零件，比如电容、电阻、光感零件等等，世界上没有一家企业能全部种类生产的。华为在备货的时候，可能觉得比起手机CPU芯片的重要性，这些小零件觉得不重要，以后需要的话也容易采购，也就忽视了。没想到美国连这些小零件都不给华为，根本目的就是不然华为生存下来。每一轮制裁都是事先对华为进行仔细研究分析后作出的决定。
效果也明显，几轮制裁下来，华为凑不齐生产手机的所有配件，手机销量直线下跌，基本上把手机市场让出去了。然而，手机虽然在近几年为华为贡献了一半以上的利润，但华为的基本盘并不是在手机上 ，而是在于华为起家的业务上——通讯设备，2G、3G、4G、5G基站设备，以及交换机等等。在华为做手机之前，华为已经连续几年是通讯设备行业的全世界第一。
而美国的几轮制裁之后，也影响到华为的通讯设备业务，要知道5G也是要用到芯片和其他半导体配件的。被制裁之下，华为海外的5G订单能否完成都成了问题。这也是后来国外客户撤销订单的原因之一。 如果是让华为在通讯设备和手机进行二选一，华为肯定选通讯设备的。毕竟华为是先有了通讯设备，后有手机业务的。
这是一个先有鸡，还是先有蛋的选择题。因此华为先要拯救的、要保住的是通讯设备。 还有一个因素，通讯设备对芯片和配件的要求没有手机那么高。手机芯片工艺现在有7、5、3纳米的要求，而通讯设备并没有要求这么精细。关键是国内也没这方面的技术，目前国内28纳米及一下的所有技术都离不开美国的技术，因此华为不可能现在生产28纳米及以下的芯片。
网上看到华为在2020年7月份招聘光刻工艺工程师，就认为华为要做光刻机了。 然而这个光刻机可能跟想象的不同，并不是做手机芯片的，而是为了生产通讯设备的芯片。 好消息还是有的。第一轮制裁的EDA软件，华为自己设计了一个基于40纳米的芯片设计软件工具（EDA TOOL）。
目前，华为已经开始在武汉生产的40纳米的芯片了。生产出来的芯片将用在华为的基站和其他通讯设备上。而整个生产线是去美国化的，全部实现国产化。并且计划在不久后升级到28纳米工艺。我想，以华为的速度，40、28纳米工艺完成之后，14、10纳米并不会太远。10纳米已经可以勉强用在手机上了。只要给华为时间，一切都不是问题。
我国的光刻机5纳米生产技术要多久才能突破？
我国的光刻机5纳米生产技术要多久才能突破？随着科技不断的发展，全球竞争已经不仅仅在于军事和经济，更多的战火波及到了科技领域，尤其是在美国对华为制裁的事件不断升级的情况下，芯片的关注度也越来越高。最近有很多自媒体人为了追求流量都在传播“5nm光刻技术获得重大突破”的传闻，但是事实是什么呢？我们一起来看一下吧。
我国科技企业已经实现弯道超车，但是芯片仍是短板在国家和各行各业的重视下，我国在科技方面尤其在互联网和通信领域实现了完美的弯道超车，但是芯片产业却摆脱不了需要大量进口的处境。近年来，我国集成电路发展非常迅速，人工智能、智能制造、汽车电子、物联网、5G等为代表的新兴产业快速崛起，集成电路是我国信息技术发展的核心，但是根据相关媒体报道称，2019年中国集成电路进口数量为4451.34亿个，同比增长6.6%；2018年中国集成电路进口数量为4175.67亿个，同比增长10.8%。
在进口金额方面，2019年中国集成电路进口金额为3055.5亿美元，同比下降2.1%。在华为事件出现之后，越来越多的企业和国人意识到，自研芯片的重要性，芯片实现国产化也迫在眉睫，因此我们现在迫切需要有自主制造芯片的能力。我国芯片设计已经能自主，但是生产制造仍是短板根据很多媒体的报道，我们可以看到华为海思、紫光展锐等科技企业已经能够实现芯片架构的自主设计，但是对于芯片制造领域，我国暂时没有企业可以代替台积电的地位。
尽管中芯国际已经可以生产14nm制程工艺，但是这无法和台积电相媲美。因此，如过想彻底摆脱国外的威胁，这条路仍旧是任重道远。那么我国什么时候才可以突破5nm技术呢根据媒体在近日的报道，中国权威机构中科院苏州研究所已经研发成功了新型5nm高精度的激光光刻技术，标志着我国的5nm光刻技术取得了重大进展。根据相关报道称，这项技术和ASML的EUV极紫外光刻完全不同。
中国年底将量产第四代浸没式光刻机，这意味着什么？
这个已经沸沸扬扬不短的时间了，感觉网民们的热情是好的，但是，综合各种情况来看，大概率是我们一厢情愿。面对残酷的现实（美帝未来还会在芯片上动作频频，后续还会有更多艰困），我们唯有殚精竭虑，才能突破美帝封锁。…五岭逶迤腾细浪，乌蒙磅礴走泥丸。金沙水拍云崖暖，大渡桥横铁索寒…逶迤于途，路阻且长，咬紧牙关，负重前行，属于我们的光明会早日到来。
中国需要几年能研制出媲美荷兰阿斯麦的EUV极紫外光刻机？
难说啊！要知道ASML公司，在1991年就研制出了制程工艺包含90纳米的，步进投影式DUV光刻机。而在2017年研制出了，制程工艺在7纳米的，第三代极紫外EUV光刻机。也就是说，ASML公司用了26年，才从步进投影式DUV光刻机，突破到极紫外EUV光刻机。而我国在2007年就研制出了制程工艺可达90纳米的步进投影式DUV光刻机，截止到目前为止，还没有见到国产浸没式DUV光刻机出现，那就更不要说，研发出极紫外EUV光刻机了。
即便按照ASML公司的发展历程，从理论上来看，那也需要到2033年才可以研制出极紫外EUV光刻机。当然了，以上只是按照ASML公司的发展历程简单的推算，真实情况是肯定有差别的。至于究竟到哪年，才可以研制出自己的极紫外EUV光刻机，现在还很难说啊！只不过可以肯定的是，研制出极紫外EUV光刻机的时间要么早于2033年，要么晚于2033年。
究竟到哪年，还是让我们拭目以待吧！或许随着量子芯片，碳基芯片，光子芯片的发展，我国可以弯道超车，避开传统光刻机的发展模式，直接走到新兴芯片的生产制造上。言归正传，在光刻机制造上，我国面临的问题与ASML是截然相反的。要知道ASML是集合了美国，德国，日本，英国，欧洲等各发达国家的顶尖科技，才制造出的光刻机。
而我国只有靠自己，光刻机的任何一个部件，都要立足于国内来完成研发。而且，国外还对我国进行严密的封锁，也签署了专门禁止对我国出口高科技技术的《瓦森纳协定》。如此一来，最直接的结果就是:我国的高科技VS全球的高科技。况且，这还是在我国与光刻机有关的高科技，不如国外发达国家的前提下进行的。由此可见，极紫外EUV光刻机的研发，难度是地狱级别的。
可想而知，我国独立研制出极紫外EUV光刻机的难度系数有多高。难度系数高归高，与做不做的到是两回事。俗话说，世上无难事，只怕有心人。我国向来拥有迎难而上的决心和毅力，相信研制出极紫外EUV光刻机只是时间问题而已。毕竟在20年前，谁曾想到20年后的今天，我国的科技会发达到这个程度。先后出现了:蛟龙号深潜器，奋斗者号载人深潜器，复兴号高速列车，天宫空间站，北斗导航系统，量子通讯卫星，量子芯片，特高压输电，歼20隐身战斗机，运20大型运输机，直20直升机，055型万吨驱逐舰，山东号航空母舰。
这一切，在20年前是根本就不敢想的，甚至在10多年前也是不敢想的。但是，这一切，就真真切切的成为了现实。所以说，没有可以难倒我国的技术，因为我国有着迎难而上的传统和决心。相信，在极紫外EUV光刻机上，也会尽快研制出来的。那么，我国现有的技术，与国际上的差距有多大呢。ASML极紫外EUV光刻机使用的先进部件采用了波长为13.5纳米，功率为250W的激光等离子体光源。
有关于极紫外光源，一共发展了三代。第一代：放电等离子体(DPP)；第二代：激光辅助放电等离子体(LDP)；第三代：激光等离子体(LPP)。可见ASML的极紫外EUV光刻机使用的就是由Cymer公司研发的第三代光源，该光源有两大特点：第一，功率高，250W。只有光源的功率足够高，在被十多个反射镜反射吸收之后，剩下的功率足够高才能够进行光刻。
另外光刻机光源的功率越高，芯片刻录速度也就越快。第二，波长短，13.5纳米。众所周知，光刻机的光源波长与最小制程工艺息息相关。由于芯片的制程工艺和光刻机的曝光分辨率有着密切的关系，曝光分辨率越高，制程工艺也就越小，反之月越大。而光刻机的曝光分辨率又和光源的波长息息相关，当然光源的波长越短，曝光分辨率也就越高。
光源波长越短，芯片制程工艺的纳米数就可以做到越小。总而言之，极紫外EUV光刻机需要的光源，是波长短，功率大。多片极其光滑的反射镜EUV光刻机与DUV光刻机的镜头组是不同的。DUV光刻机用的是透镜组，而EUV光刻机用的是反射镜。为了使光源被反射后，还具备较高的聚合性和较大的功率，对反射镜的粗糙度有较高的要求。
ASML的极紫外EUV光刻机，使用的是德国蔡司公司研制的反射镜。这些反射镜的表面镀了近百层由钼和硅制成薄膜，而薄膜的粗糙度控制在0.05纳米，难度还是相当大的。超高精度的双工件台过去的光刻机使用的是单工件台，一个工件台完成测量，刻录等所有工作。那么，效率自然就很慢。使用单工件台的光刻机，一个小时可以处理80片晶圆。
而双工件台，是将光刻前得准备工作，和光刻分隔开来。即，一个工件台上的晶圆在做曝光时，另一个工件台对晶圆做测量等曝光前的准备工作。当第一个工件台的曝光工作完成之后，两个工件台交换位置和职能 这样一来，就可以提高光刻机的生产速度，使用双工件台的光刻机，每小时可以处理200片晶圆。相单工件台而言，那生产效率提高了3倍。
ASML的极紫外EUV光刻机所用的Twinscan双工件台，的运动精度误差控制在1.8纳米。综合来看，光源，双工件台，反射镜是光刻机的三大部件，只要解决了这三大部件，剩下的控制台，掩膜台相对来说就比较容易了。我国光刻机部件的进度我国目前最先进的光刻机，就是最小制程工艺为90纳米的步进投影式DUV光刻机。
距离ASML的极紫外EUV光刻机还有很远的距离。光源国内研发光源的主要有科益虹源，哈工大，华中科技，上海光机所等。目前来看，我国已经制造出来第三代光源→波长为248纳米，重复频率为4000hz，功率为40W的氟化氪（KrF）激光器。当然了，这是在2020年完成的，至于今天达到了那个程度，还难以确定。不过，国外类似的光源是在上世纪80年代研发出来，可想而知，这之间的差距有多大。
不过Krf光源只适合制程工艺在100纳米以上的光刻机使用，而我国的光刻机最小的制程工艺为90纳米。想必还是研制出了波长为193纳米的第四代Arf光源。当然了，国内有研发DUV光刻机的光源公司，也有研发EUV光刻机光源的企业。像哈工大研发的第一代放电等离子光源。综合来看，在光源上与国际领先水平仍然有较大得差距。
反射镜我国研究光刻机镜头的有国望光学，长春光机所。国望光学已经研制出了，适合步进投影式DUV光刻机使用的透镜，否则国内90纳米制程工艺的光刻机的物镜系统从哪里来的呢。只不过，在极紫外EUV光刻机使用的反射镜上，国内并没有研制出实物，也没有相关的报道出现。只不过，据最新的资料显示，光点技术研究所，与中国科学院高能物理研究所合作，研发的200 毫米口径内平面镜的，加工粗糙度优于 0.3 纳米。
而在2021年，中科科仪所研发出了真空镀膜设备，该设备可以将膜厚的精度控制在0.1纳米以内，应该可以用于反射镜的镀膜。综合来看，国内反射镜技术，与德国的蔡司公司，日本的JECT公司的反射镜差距依然挺大的。双工件台我国研发双工件台的主要就是华卓精科，其已经交付客户的DWS系列双工件台，可以被用于Arf干式光刻机。
该双工件台采用了磁悬浮平面电机驱动，多轴激光干涉位移测量技术。使得运动平均偏差为4.5纳米，运动标准偏差为7纳米，最大速度为1.1米/秒，最大加速速度为2.4g。正在研发DWSI系列，同样采用了磁悬浮平面电机驱动，不过换成了平面光栅干涉位移测量技术。使得运动平均偏差为2.5纳米，运动标准偏差为5纳米，最大速度为1.5米/秒，最大加速速度为3.2g。
即便是在研发中的双工件台，距离ASML极紫外EUV光刻机使用的双工件台也有差距。目前来看，我国EUV光刻机的所需要的部件，都尚未达到满足使用的程度。所以说，国产极紫外EUV光刻机还是需要时间来等待的。就是等待各种部件达到商业化的程度，也只有各种部件都齐全了，国产极紫外EUV光刻机才可以顺利的下线 。上文也说了，至于何时才能看到国产极紫外EUV光刻机，还很难说啊！。
文章TAG：华卓 精科 清华 共享 专利
