在目前的材料下，晶圆工艺的极限是5nm。首先简单说明FinFET技术商用的背景。这项技术是一个阶段性的分水岭，出现在16/14nm节点。16/14nm节点引入了FinFET技术，强行中和了工艺缩减带来的副作用。居然还有人不忍心用几千字几千图直视1nm以下的技术。
晶圆工艺制程达到1纳米会怎样？
在现在的材料下，晶圆的工艺制程的极限是5nm。我们知道，这个工艺越先进，晶体管就越小，相同面积的芯片就可能塞进更多的晶体管了，理论上能芯片的性能和功耗都会得到改善。但是，它也会有很多负面的作用，最主要的就是漏电流，随着沟道长度就是制程的缩小，这个漏电流就越严重，制程带来的好处基本上被这些负面作用抵消了，虽然像英特尔IBM等采用了一些新的手段如FinFet去改善漏电流等问题，但它总是有个限度 的。
未来台积电的工艺达到1纳米的话，那么是不是1纳米就算封顶了？手机性能上不去了吗？
居然还有人傻不拉几的洋洋洒洒几千字配着图论述工艺到1nm以下，实在是不忍直视。首先简要说明一下FinFET工艺实现商用的背景，这项技术是一个阶段性分水岭，出现在16/14nm节点。主要是因为之前的20nm节点惨不忍睹，因为在这种微观尺度上，已经受到了明显的量子隧穿效应影响，微观尺度的电子具有波动性质，能够展示出隧穿行为，大量的电子根本不会沿着你在硅晶上雕刻的微观电路走，从宏观上来看，就是你这块CPU漏电了，你加再高的电压，CPU性能都没有得到多少提升，白白浪费了电流。
在这种前提下，你制程工艺越小，微观尺度的影响越大，量子隧穿效应越明显，制程带来的性能提升越小，由于芯片面积减小发热更集中，在这个时候，制程进步已经是一个死局了。所以只好在16/14nm节点引入了FinFET工艺，强行中和了制程缩小带来的副作用。但是这治标不治本，量子力学是现代物理学三大基石之一，只要你制程越来越小，你就永远逃不出他的魔爪，而且制程越小受到的影响越大，这是宇宙决定的。
在5nm制程附近，就会遇到严重的经济性问题，即制程缩小已经无法带来优异的半导体物理属性，更别说什么1nm以下了，除非你强行扭转物理定律，否则在这个尺度，无论你是用硅还是什么牛逼材质，电子一视同仁，根本不会鸟你的电路。未来相当长一段时间的芯片不会依靠缩小制程来提升性能，需要依靠的是降低成本，改进工艺，扩大规模，优化架构。
5纳米芯片意味着什么？
前段时间，芯片问题因为光刻机的供应商着火又再一次进入大众的视野，尤其是杜宇7nm芯片的可望而不可得的情绪更是让人很无奈，说到纳米级芯片，可能还需要大家了解下芯片的知识。那么芯片到底是什么呢？其实芯片就是集成电路，或者叫微电路，就是装有集成电路的硅片，说得更直白一点，芯片就像人体的大脑和心脏，这么说就大家就能明白芯片的作用吧。
科研人员用来衡量芯片科技含量水平的标准是纳米尺度。目前，10纳米芯片在世界上被广泛使用。当然，在光刻机方面最权威的厂商都已经出了7纳米的芯片。那么，5nm芯片意味着什么呢？意味着世界上最先进的制造商制造的芯片离它还有2纳米的距离。但是，没有必要悲观。现在很多国家都开始研究5纳米芯片，应该一年左右就能上市。
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