数码科技半导体，风土人文和地理。有接触式、接近式、投影式、步进式光刻机。而本次介绍主要侧重于制造的过程，故略去封装和测试等环节的介绍。扩散接着介绍以下扩散，扩散是为了改变半导体的电特性，形成半导体器件结构。关于扩散，就是将掺杂气体导入放有硅片的高温炉中，从而达到将杂质扩散到硅片内的目的。
都说半导体制造工艺复杂，但具体的芯片生产流程是怎样的？
数码科技半导体，风土人文和地理。大家好我是涉猎领域较为宽泛的一大木~集成电路制造本人最近刚参加一次完整的流片过程，具体可以做出以下回答。一、工艺原理：氧化、扩散、光刻、金属化等集成电路的制造是一个非常复杂的过程，涉及到很多的步骤、工艺等。从硅原材料到芯片成品的过程大致符合以下流程。而本次介绍主要侧重于制造的过程，故略去封装和测试等环节的介绍。
晶圆的制作首先要从沙子里提纯得到多晶硅，然后经过拉单晶切片磨片抛光外延等步骤，这些步骤的话我具体没有参与过，我从我所参与的流程开始具体详细介绍。氧化第一个程序是氧化，我所控制氧化晶圆的设备，下图所示的样子。这里展开篇幅叙述一下氧化工艺的原理：氧化的目的是为了在硅片上长一层二氧化硅层以保护硅片表面、器件隔离、屏蔽掺杂、形成电介质层等。
具体种类包括干氧氧化、湿氧氧化、水汽氧化、掺氯氧化和高压氧化等。本次实习所采用的为湿氧工艺，从机器上也可观察到。所以重点介绍湿氧工艺。湿氧工艺是指氧气中带着一定量的水汽，水汽要加热到95摄氏度。涉及到的化学方程为：湿氧氧化的氧化速率介于干氧氧化和水汽氧化之间，氧化层质量也介于二者之间。湿氧氧化工艺要有水汽产生装置，一般都是氢氧合成湿氧氧化工艺，要特别注意氢气和氧气的流量比，下图是我当时拍到的氢气氧气混合装置：两根管道内应该分别分氧气和氢气。
具体操作的时候还需要把晶片推到炉子里，操作过程如下图所示：氧化工艺就先介绍到这里。扩散接着介绍以下扩散，扩散是为了改变半导体的电特性，形成半导体器件结构。将所需的杂质，比如三族或五族元素，以一定的方式掺入到半导体基片规定的区域内，并达到规定的数量和符合要求的分布。扩散法和离子注入法均能达到目的。以下是两种扩散炉。
关于扩散，就是将掺杂气体导入放有硅片的高温炉中，从而达到将杂质扩散到硅片内的目的。按照掺杂源的形态分为固体源扩散、液态源扩散、气态源扩散。按照扩散的形式又可以分为气相固相液相扩散。按照杂质的分布又可以分为恒定表面源扩散分布和有限表面源扩散分布。按照扩散的机理可分为间隙式扩散和替位式扩散。说完扩散顺便叙述一下离子注入，离子注入相对于扩散来说有很多优势，注入温度低，精确且可独立控制浓度分布和结深，掺杂的均匀性和重复性好，注入离子纯度高，能量单一，横向扩散小，不受固溶度的限制。
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