下图为离子注入原理图：当然随之而来的也会有些缺点，损伤较多，工艺多了退火的步骤，成本也高。它的原理是先给注入离子一定的能量，然后轰击靶材料进入掺杂区域。然而注入离子的分布是比较复杂的，不服从严格的高斯分布。注入离子分布图如下图所示：光刻然后介绍光刻工艺。可以说光刻是整个流程的重要环节。通过光化学反应，将光刻版上的图形转移到光刻胶上。
光刻三要素即光刻机、光刻版和光刻胶是光刻步骤必不可少。光刻机：Lithography Tool，目前来说ASML的光刻机是前沿。荷兰的这家公司并不具备将其售给中国的权利，很可笑，这都是瓦森纳协定的限制，限制中国的发展。其实当年日本的佳能和尼康的光刻机技术是世界领先水平，当时ASML只是个弟弟，后来佳能和尼康受到的美利坚的多方干扰，美国意在通过打压别国的光刻机技术想要使自己的光刻机技术成为领先水平，不料ASML和台积电合伙研制出了浸润式光刻，直接翻身农奴把歌唱。
美国这下也好了，虽然把日本的光刻机技术给打压了，没想到ASML又起来了，而自己过得技术也还是个弟弟水平。美国也担心中国的发展，后来拉拢全世界发达国家整了一个瓦森纳协定，内容大概是禁止出售高尖端设备给中国，真的是小肚鸡肠美利坚。光刻机的能提供光刻工艺所需的曝光光源，将光刻版的图形转移到光刻胶上。技术难度最高、成本最大、决定特征尺寸。
有接触式、接近式、投影式、步进式光刻机。说完了光刻机还有光刻版，光刻版即掩膜版、光罩，很好理解。最后还有光刻胶，光刻胶是光敏性材料，分为正胶和负胶。在实验室我体验了涂胶并将其甩匀的过程，如下所示：首先把晶圆放在圆柱形底盘上，然后挤上适量的光刻胶，启动转盘，然后光刻胶就会被均匀的涂抹。之后我记得是把晶圆放在一个机器上，先对准，对准完了之后启动那台机器进行光刻，结束之后要冲洗显影等步骤。
金属化金属化指的是金属及金属性材料在IC中的应用。按照功能划分，金属化可以分为栅材料，互联线材料，接触材料以及填充材料。现代集成电路对金属化的要求与很多，电阻率要低，能传导高电流密度，粘附性好，能够粘附下层衬底实现很好的电连接，半导体与金属连接时接触电阻低。易于淀积，容易成膜，易于图形化，对下层衬底有高选择比，易于平坦化，可靠性高，延展性好，抗点迁徙能力强，抗腐蚀性好，应力低，以减小硅片的翘曲，避免金属线断裂、空洞。
金属化材料分为金属材料和金属性材料。常用的金属材料有Al、Cu、Pt、Au、W、Mo等，常用的金属性材料包括掺杂的多晶硅，金属硅化物和金属合金。若干工艺流程之后，得到的晶圆如下所示，下边的分别是我用手机拍摄的，可以看到不是很清楚。最终的晶圆图：用电子显微镜观察一下，是这样的:显微镜下则看的更为清楚，每个器件都能看到清晰的轮廓，至此，本次流程差不多也结束了。
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