东芝的闪存怎么样,有着怎样的特点

基于东芝XL-Flash闪存的PBlaze X26 SSD，具有哪些特点？

在今年的闪存峰会上，Memblaze 将展示业界首款基于东芝 XL-Flash 闪存的超低延迟 NVMe SSD 。这些驱动器可以确保一致的高性能和超低延迟，与英特尔傲腾Optane和三星 Z-NAND 技术争夺对性能要求极为苛刻的关键任务市场。据悉，Memblaze PBlaze X26 系列 SSD 采用了该公司的专属主控，而 XL-Flash 则是东芝在去年宣布的。

资料图 / 仅供参考，via AnandTech与 3D TLC NAND 相比，XL-Flash 宣称能够带来一定数量级的性能提升，减少 1/10 的操作等待时间。Memblaze 声称，PBlaze X26 系列 SSD 的原型，已能够实现低于 10s 的 4K 随机写入延迟以及平均低至 26s 的 4K 混合读写延迟。

最终，该公司希望实现低于 20s 的延迟。与英特尔傲腾OptaneSSD 相比，它不仅性能上更加出众，售价也更加便宜。Memblaze 产品高级副总裁 Taile Zhang 表示基于 Memblaze 的核心闪存技术，PBlaze5 X26 带来了 XL-FLASH 的超低延迟高 QoS 优势，有望为企业提供快速稳定的性能。

与 3D XPoint 和其它 SCM 介质相比，XL-FLASH 具有明显的价格优势，有助于提升 PBlaze5 X26 系列的市场接受度，在整个行业中得到广泛应用。Memblaze 尚未分享有关该驱动器的任何进一步细节，但从 PBlaze5 X26 800 这个型号的名称来看，该公司显然至少会推出一款 800GB 容量的版本。

铠侠原东芝存储开发的新型Twin BiCS FLASH闪存，有着怎样的特点？

铠侠Kioxia宣布，其已开发出一种名叫Twin BiCS FLASH的新式半圆形 3D 存储单元结构。与传统循环设计的电荷陷阱单元相比，铠侠首创的这种半圆形 3D 浮栅单元结构，具有更大的编程 / 擦除窗口和斜率，且单元尺寸做到了更小。展望未来，这种设计有望在超越 4-bitQLC的存储装置中发挥巨大作用 —— 减少堆栈层数或提供更高的存储密度。

题图 via Kitguru在本月早些时候于旧金山举办的 IEEE 国际电子设备会议上，铠侠宣布了这项新技术。近年来，随着 3D 堆叠层数的增加，厂商得以通过更低的成本来实现更高的位密度。然而在层数超过 100 之后，工艺的复杂程度也迅速提升，对产品的良率和一致性提出了更大的挑战。为了克服这些问题，铠侠提出了全新的半圆形单元设计。

其在传统圆形单元的基础上，对栅电极进行了分割，从而减少单元的尺寸，以实现在较少单元层数的情况下，带来高密度的存储。铠侠称，半圆形浮栅FG单元具有出色的编程 / 可擦写特性，有望获得紧密的 QLC Vt 分布和较小的单元尺寸。作为行业向前发展追求更高比特密度的一个可行选项，该公司将继续致力于 Twin BiCS FLASH 的研发，并将之投入实际应用。

西数东芝的BiCS-5 3D NAND闪存，在容量和性能上有多大优势？

据国外媒体报道，西部数据WD和东芝东芝开发了一种128层@ 512Gbit容量的3D NAND，也称为TLC cache。如果继续之前的命名约定，可以称之为BiCS-5。因为BiCS-4有96层，BiCS-3有64层。与BiCS-4闪存颗粒相比，新技术增加了32层，可以轻松增加1/3的容量，从而大大降低了制造相同容量终端产品的成本。