基于东芝XL-Flash闪存的PBlaze X26 SSD，具有哪些特点？
在今年的闪存峰会上，Memblaze 将展示业界首款基于东芝 XL-Flash 闪存的超低延迟 NVMe SSD 。这些驱动器可以确保一致的高性能和超低延迟，与英特尔傲腾Optane和三星 Z-NAND 技术争夺对性能要求极为苛刻的关键任务市场。据悉，Memblaze PBlaze X26 系列 SSD 采用了该公司的专属主控，而 XL-Flash 则是东芝在去年宣布的。
资料图 / 仅供参考，via AnandTech与 3D TLC NAND 相比，XL-Flash 宣称能够带来一定数量级的性能提升，减少 1/10 的操作等待时间。Memblaze 声称，PBlaze X26 系列 SSD 的原型，已能够实现低于 10s 的 4K 随机写入延迟以及平均低至 26s 的 4K 混合读写延迟。
最终，该公司希望实现低于 20s 的延迟。与英特尔傲腾OptaneSSD 相比，它不仅性能上更加出众，售价也更加便宜。Memblaze 产品高级副总裁 Taile Zhang 表示基于 Memblaze 的核心闪存技术，PBlaze5 X26 带来了 XL-FLASH 的超低延迟高 QoS 优势，有望为企业提供快速稳定的性能。
与 3D XPoint 和其它 SCM 介质相比，XL-FLASH 具有明显的价格优势，有助于提升 PBlaze5 X26 系列的市场接受度，在整个行业中得到广泛应用。Memblaze 尚未分享有关该驱动器的任何进一步细节，但从 PBlaze5 X26 800 这个型号的名称来看，该公司显然至少会推出一款 800GB 容量的版本。
东芝首发UFS 3.0闪存，真的能媲美SSD性能吗？
今年的智能手机除了5GAI这两个大热点之外，在性能上还会再进一步，内存会升级到LPDDR5标准，闪存也会有UFS 3.0新一代标准，该规范去年初就制定完成了，此前爆料称三星的Galaxy S10手机就会用上自家的UFS 3.0闪存。至于其他厂商，那就要依靠东芝等NAND厂商了，日前东芝就首发了UFS 3.0闪存，容量128/256/512GB，使用的是自家96层堆栈的3D TLC闪存，具体性能没公版，只说比前代读写提升70?%，但这个性能追上一些NVMe硬盘还是可以的。
去年这个时候，JEDEC组织正式发布UFS 3.0标准JESD220D，一道被发布的还有更新后的接口标准UFSHCIJESD223D，以及适用于拓展存储卡标准的UFS Card Extension 1.1JESD220-2A。过去UFS 2.0采用的HS-Gear2G2规范是单通道单向理论带宽1.45Gbps，双通道双向理论带宽就是5.8Gabps随后UFS 2.1采用的HS-Gear3G3理论带宽翻倍达到11.6Gbps，而今天刚刚发布的UFS 3.0标准采用的带宽规范是HS-Gear4G4，再次实现带宽翻倍，也就是单通道双向11.6Gpps，因此双通道双向带宽的理论最高值就是23.2Gbps，大约是2.9GB/s。
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