(2)正确选择电阻的极限电压极限电压是每个电阻都有的参数。如果实际电路电压超过电阻的极限电压值,即使能满足功率要求,电阻仍会被击穿损坏。(2)集电极-发射极击穿电压U (br) (BuCEO)它是指晶体管基极开路时施加在集电极和发射极之间的最大允许电压;集电极和发射极之间的电压不得超过u (br)。

电子元器件烧毁的本质是过压导致还是过流导致的?

电子元器件烧毁的本质是过压导致还是过流导致的

电子元器件烧毁的本质是过压导致还是过流导致的?♣电子元器件的品种繁多,包括了常用的电阻器、电容器、电感器、半导体二极管、半导体晶体管、晶闸管、场效应管、压电器件、霍尔器件、光电器件、表面组装器件、集成电路、数码显示器件、开关、接插件、继电器等。电子元器件其损坏被烧毁的有可能是因为选择的技术参数过小或者因为选择不当损坏的。

有可能是因为电子元器件的耐压值不够,而施加在电子元器件过电压损坏;也有可能是因为流过电子元器件的电流超过额定电流而损坏的。总而言之过电压、过电流都有可能损坏电子元器件的。可以所有的电子元器件它们都有技术参数的。这里本人以半导体晶体管来说,晶体管主要特性参数有直流参数,它包含了晶体管共射级直流放大倍数β,集电极反向截止电流Iᴄʙᴏ;交流参数有共射级交流放大系数β;晶体管极限参数,如集电极最大允许电流Iᴄᴍ。

(1)如果集电极电流过大时,晶体管的B会下降,集电极电流和p之间的关系可以查找它的伏安特性曲线图,β下降至2/3或1/2时对应的集电极电流,被称为集电极最大允许电流Icᴍ。应用时,Ic


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